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DMTH4007LK3-13
1个N沟道 耐压:40V 电流:16.8A 电流:70A
- 描述
- N沟道,40V,16.8A,7.3mΩ@10V
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH4007LK3-13
- 商品编号
- C155272
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.503克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 59W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.895nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 485pF |
商品概述
这款N沟道功率MOSFET采用StripFET™ F7技术，具有增强型沟槽栅极结构，可实现极低的导通电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，实现更快、更高效的开关操作。
商品特性
- 低RDS(ON)—— 确保将导通状态损耗降至最低
- 出色的 Qgd x RDS(ON) 乘积(品质因数)
- 适用于DC-DC转换器的先进技术
- 小尺寸、热效率高的封装,可实现更高密度的终端产品
- 无铅表面处理;符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
- 通过AEC-Q101标准认证,可靠性高
- 另有符合汽车应用标准的产品(DMTH4007LK3Q),数据手册单独提供
应用领域
-电源管理功能-DC-DC转换器-背光照明