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DST3946DPJ-7
NPN+PNP 电流:200mA 电压:40V
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- 描述
- 特性：BVCEO > 40V。 集电极电流 IC = 200mA。 SOT963超小封装，占位面积1mm²。 外延平面芯片结构。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑。 “绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，可靠性高
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DST3946DPJ-7
- 商品编号
- C155279
- 商品封装
- SOT-963
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN+PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 200mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 100@10mA,1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 300MHz | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V | |
| 数量 | 1个NPN+1个PNP |
优惠活动
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