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ZXMC10A816N8TC
1个N沟道+1个P沟道 耐压:100V 电流:2.2A
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- 描述
- 这款新一代互补式双 MOSFET 的特点是在低栅极驱动条件下可实现低导通电阻。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXMC10A816N8TC
- 商品编号
- C155241
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.388克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V；100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.1A；2.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 230mΩ@10V；235mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W；2.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V@250uA；3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.2nC@10V；16.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 497pF；717pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF；46pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 29pF；55pF |
商品概述
这款新一代互补双 MOSFET 具备在低栅极驱动下实现低导通电阻的特性。
商品特性
- 采用 SO-8 封装的 100V 互补型器件
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 低电压（VGS = 4.5V）栅极驱动
- 完全无铅且完全符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 该器件符合 JEDEC 标准（参考 AEC-Q），具备高可靠性
应用领域
- 直流电机控制-背光源