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ZXTD619MCTA
NPN 电流:4A 电压:50V
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- 描述
- 特性：BVCEO > 50V。IC = 4A 连续集电极电流。低饱和电压（1A 时最大 100mV）。RSAT = 68mΩ，低等效导通电阻。hEE 在高达 6A 时指定，保持高电流增益。双 NPN 节省电路板空间和元件数量。应用：DC-DC 转换器。MOSFET 栅极驱动器
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXTD619MCTA
- 商品编号
- C155261
- 商品封装
- DFN-8-EP(3x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 4A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 耗散功率(Pd) | 19.6W | |
| 直流电流增益(hFE) | 200@1A,2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 165MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 145mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 7V | |
| 数量 | 2个NPN |
优惠活动
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