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DMN2050L-7
1个N沟道 耐压:20V 电流:5.9A
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- 描述
- N沟道,20V,5.9A,29mΩ@4.5V
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2050L-7
- 商品编号
- C154871
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@2V,1.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 532pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 117pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 144pF |
商品特性
- 低导通电阻
- 在VGS = 4.5V时为29mΩ
- 在VGS = 2.5V时为50mΩ
- 在VGS = 2.0V时为100mΩ
- 极低的栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 符合AEC-Q101标准，具备高可靠性