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DMN30H4D0LFDE-7
1个N沟道 耐压:300V 电流:0.55A
- 描述
- 新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN30H4D0LFDE-7
- 商品编号
- C154888
- 商品封装
- UDFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 300V | |
| 连续漏极电流(Id) | 550mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@2.7V,0.1A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.98W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.7pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 8.7pF |
交货周期
订货3-5个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 3000 个)个
起订量：3000 个1个/圆盘
总价金额：
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