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BSS138DW-7-F
2个N沟道 耐压:50V 电流:200mA
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- 描述
- 双NPN,Vceo=50V,Ic=200mA
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- BSS138DW-7-F
- 商品编号
- C154900
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
这款MOSFET的设计旨在最小化导通电阻RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
-低导通电阻-低栅极阈值电压-低输入电容-快速开关速度-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件-该器件符合JEDEC标准(如AEC-Q中所引用),具备高可靠性-另有符合汽车应用标准的型号(BSS138DWQ),其数据手册单独提供
应用领域
-负载开关