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MMBT3904LP-7B
NPN 电流:200mA 电压:40V
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- 描述
- 特性：BVCEO > 40V。 集电极电流高：IC = 200mA。 功率耗散：PD = 1000mW。 封装占地面积：0.60mm²，比SOT23小13倍。 封装高度：0.5mm，可减少板外轮廓。 互补PNP类型：MMBT3906LP。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 该产品符合JEDEC标准，具有高可靠性
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- MMBT3904LP-7B
- 商品编号
- C154763
- 商品封装
- DFN-3(1x0.6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 200mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 直流电流增益(hFE) | 100@10mA,1.0V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 300MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV@50mA,5mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V | |
| 数量 | 1个NPN |
优惠活动
购买数量
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起订量：10 个10000个/圆盘
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