温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMN3190LDW-7
2个N沟道 耐压:30V 电流:1A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 双N沟道,30V,1A,190mΩ@10V
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3190LDW-7
- 商品编号
- C154750
- 商品封装
- SC-70-6(SOT-363)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 122mΩ@10V；181mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 900pC@4.5V；2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 87pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 17pF |
商品概述
这款MOSFET的设计旨在最小化导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
应用领域
- 电机控制-电源管理功能-负载开关