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DMN1019UFDE-7
1个N沟道 耐压:12V 电流:11A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN1019UFDE-7
- 商品编号
- C154731
- 商品封装
- UDFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 41mΩ@1.2V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.17W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50.6nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.425nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 375pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 396pF |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 0.6mm 高度——适用于薄型应用
- 4mm² 的 PCB 占位面积
- 低栅极阈值电压
- 快速开关速度
- 静电放电保护栅极
- 完全无铅且符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
- 该器件符合 JEDEC 标准（如 AEC - Q 中引用），具有高可靠性
应用领域
- 负载开关-电池管理应用-电源管理功能