1个N沟道 耐压:20V 电流:5.47A
- 10+: ¥0.381986 / 个
- 100+: ¥0.316552 / 个
- 300+: ¥0.283835 / 个
- 3000+: ¥0.241064 / 个 (折合1圆盘723.19元)
- 6000+: ¥0.221434 / 个 (折合1圆盘664.3元)
- 9000+: ¥0.211619 / 个 (折合1圆盘634.86元)
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¥0.221434 / 个 (折合1圆盘664.3元) |
9000+: |
¥0.211619 / 个 (折合1圆盘634.86元) |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 5.47A | |
功率(Pd) | 740mW | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 29mΩ@10V,6A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 5.4nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 434.7pF@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |