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IPC100N04S51R9ATMA1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPC100N04S51R9ATMA1

1个N沟道 耐压:40V 电流:100A

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描述
N沟道,40V,100A,1.9mΩ@10V
商品型号
IPC100N04S51R9ATMA1
商品编号
C152215
商品封装
TDSON-8(6.2x5.2)​
包装方式
编带
商品毛重
0.129克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)100A
属性参数值
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.9mΩ@10V,50A
功率(Pd)100W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3.4V@50uA

商品特性

  • 用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET
  • N沟道 - 增强型 - 常规电平
  • 通过AEC Q101认证
  • 最高260°C峰值回流温度的MSL1等级
  • 175°C工作温度
  • 绿色产品(符合RoHS标准)
  • 100%雪崩测试

数据手册PDF