温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMT6016LSS-13
1个N沟道 耐压:60V 电流:9.2A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这款MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，并保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想之选。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT6016LSS-13
- 商品编号
- C151586
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.388克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@4.5V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 864pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 282pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交32单