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DMT6016LSS-13
1个N沟道 耐压:60V 电流:9.2A
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- 描述
- 这款MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，并保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想之选。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT6016LSS-13
- 商品编号
- C151586
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.388克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 864pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 282pF |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻 RDS(on) 降至最低，并保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
-低导通电阻-低输入电容-快速开关速度
应用领域
-负载开关-适配器开关-笔记本电脑