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DMTH6010LPD-13
2个N沟道 耐压:60V 电流:47.6A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH6010LPD-13
- 商品编号
- C151608
- 商品封装
- PowerDI5060-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.23克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 47.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 37.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.615nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.415nF |
商品概述
这种增强型（常关）晶体管采用垂直双扩散金属氧化物半导体（DMOS）结构和Supertex公司成熟的硅栅制造工艺。这种结合使该器件兼具双极晶体管的功率处理能力，以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数特性。作为所有MOS结构的特点，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象。 Supertex公司的垂直DMOS场效应晶体管（FET）非常适合各种开关和放大应用，这些应用需要极低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。
商品特性
- 额定温度高达 +175℃—— 适用于高环境温度环境
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关(UIS)测试 —— 确保终端应用更可靠、更耐用
- 高转换效率
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
-发动机管理系统-车身控制电子设备-DC-DC转换器