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DMG6968UDM-7
耐压:20V 电流:6.5A
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- 描述
- 双N沟道,20V,6.5A,24mΩ@4.5V
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMG6968UDM-7
- 商品编号
- C151635
- 商品封装
- SOT-26
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.054克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 850mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 143pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共漏 | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 74pF |
商品特性
- 低栅极电荷
- 低导通电阻RDS(ON):
- 在VGS = 4.5V时为24mΩ
- 在VGS = 2.5V时为28mΩ
- 在VGS = 1.8V时为34mΩ
- 低输入/输出漏电流
- 静电放电(ESD)防护能力高达2kV HBM
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- 通过AEC-Q101标准认证,具备高可靠性