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DMN2990UFA-7B
1个N沟道 耐压:20V 电流:510mA
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- 描述
- 该MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(on)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2990UFA-7B
- 商品编号
- C151598
- 商品封装
- XFDFN-3(0.6x0.8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 510mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4Ω@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 55.2pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 8pF |
商品特性
- 封装高度低,最大封装高度为0.4mm
- 封装占位面积为 0.48 mm^2,比SOT23小16倍
- 导通电阻低
- 栅极阈值电压极低,最大为1.0V
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,为“绿色”器件
- 通过AEC-Q101标准认证,具备高可靠性
应用领域
- 通用接口开关
- 电源管理功能
- 模拟开关