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ZXTP2008GTA
PNP 电流:5.5A 电压:30V
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- 描述
- 特性：BVCEO > -30V。 IC = -5.5A 连续集电极电流。 ICM = -20A 峰值脉冲电流。 低饱和电压 VCE(SAT)< -60mV 最大 @ -1A。 RSAT = 31mΩ @ -5.5A 低等效导通电阻。 出色的增益线性度低至 -10mA。应用：DC-DC 转换器。 MOSFET 栅极驱动器
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXTP2008GTA
- 商品编号
- C151587
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.232克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 5.5A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 直流电流增益(hFE) | 70@1A,1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 110MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 20nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 60mV@1A,500mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 7V |
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