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ZXMN3G32DN8TA
2个N沟道 耐压:30V 电流:7.1A
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- 描述
- 这款新一代沟槽式MOSFET具有低导通电阻和快速开关速度的特点。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXMN3G32DN8TA
- 商品编号
- C151582
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.269克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 472pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 178pF |
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