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ZXMN6A11ZTA
1个N沟道 耐压:60V 电流:3.6A
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- 描述
- N沟道,60V,2.7A,120mΩ@10V
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXMN6A11ZTA
- 商品编号
- C150484
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.212克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@4.5V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 330pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 35.2pF |
商品概述
这款MOSFET的设计旨在最小化导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
应用领域
- 直流-直流转换器-电源管理功能-电机控制-断开开关