温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMP21D0UT-7
1个P沟道 耐压:20V 电流:0.59A
- 描述
- 该MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(on)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP21D0UT-7
- 商品编号
- C150733
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 590mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 960mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 330mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.5nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 76.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10.7pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 13.7pF |
商品特性
- 仅 3 mm^2 的占位面积 —— 不到SOT23尺寸的一半
- 0.8mm的厚度 —— 适用于薄型应用
- 低栅极阈值电压
- 快速开关速度
- 栅极具备3KV静电放电保护
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
- 通过AEC-Q101标准认证,可靠性高
应用领域
- 便携式电子设备