温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMN65D8LDW-7
2个N沟道 耐压:60V 电流:200mA
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这款新一代MOSFET旨在将导通电阻（RDS(on)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想之选。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN65D8LDW-7
- 商品编号
- C151059
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 870pC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 22pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.2pF |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻（RDS(on)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 双N沟道MOSFET
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 小型表面贴装封装
- 静电防护栅极，1KV（人体模型）
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 该部件符合JEDEC标准（如AEC - Q中所引用），具备高可靠性
- 另有符合汽车标准的部件（DMN65D8LDWQ），数据手册单独提供
应用领域
- DC-DC转换器-电源管理功能-电池供电系统和固态继电器-驱动器:继电器、螺线管、灯具、锤击器、显示器、存储器、晶体管等