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MMBF170-7-F
1个N沟道 耐压:60V 电流:200mA
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- 描述
- N沟道,60V,500mA,5Ω@10V
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- MMBF170-7-F
- 商品编号
- C151058
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 22pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 11pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- 该器件符合JEDEC标准(如AEC - Q中所引用),具备高可靠性
- 符合汽车应用标准的型号(MMBF170Q)可参考单独的数据手册
应用领域
-电机控制-电源管理功能