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DMG6602SVTQ-7
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:3.4A
- 描述
- 新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(on))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMG6602SVTQ-7
- 商品编号
- C150494
- 商品封装
- TSOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.061克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.4A；2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V；95mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 840mW；1.27W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V@250uA；1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@10V；7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
交货周期
订货3-5个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 3000 个)个
起订量：3000 个1个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单