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DMP3056L-7
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.3A
- 描述
- 这款新一代MOSFET的设计旨在最大程度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP3056L-7
- 商品编号
- C150724
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.38W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
-低导通电阻-低栅极阈值电压-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出泄漏电流-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
-高效电源管理应用