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SI7949DP-T1-GE3
2个P沟道 耐压:60V 电流:5A
- 描述
- 双P沟道,-60V,-3.2A,0.064Ω@-10V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7949DP-T1-GE3
- 商品编号
- C145350
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.131克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@4.5V,4.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 采用新型低热阻 PowerPAK 封装，高度仅 1.07 mm