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SI4666DY-T1-GE3
停产 1个N沟道 耐压:25V 电流:16.5A
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- 描述
- N沟道,25V,16.5A,0.01Ω@10V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4666DY-T1-GE3
- 商品编号
- C145349
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.245克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
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