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SISB46DN-T1-GE3
2个N沟道 耐压:40V 电流:34A
- 描述
- 双N沟道,40V,34A,0.01171Ω@10V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISB46DN-T1-GE3
- 商品编号
- C145348
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.176克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 34A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15.8mΩ@4.5V,29.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 针对最低RDS - Qoss品质因数进行优化
- 100%进行Rq和UIS测试
- Qgd / Qgs比 < 1，优化开关特性
应用领域
- 同步整流-DC/DC转换器-电机驱动开关-电池和负载开关