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LM5050MK-1/NOPB
高侧OR-ing场效应管控制器
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- 描述
- LM5050-1 5V 至 75V、400uA IQ ORing FET 控制器
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- LM5050MK-1/NOPB
- 商品编号
- C129323
- 商品封装
- TSOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 理想二极管/ORing控制器 | |
| 输入电压(Vin) | 5V~75V | |
| FET类型 | 外置FET | |
| 栅极驱动电压 | 12V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 正向压降(Vf) | 22mV | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 灌电流(IOL) | 2A |
商品概述
LM5050-1/-Q1 高边或门FET控制器与外部MOSFET配合使用时，可以作为一个理想的二极管整流器，当它与电源串联连接时。这种或门控制器允许MOSFET在电源分配网络中替代二极管整流器，从而减少功率损耗和电压降。
LM5050-1/-Q1控制器为外部N沟道MOSFET提供电荷泵栅极驱动，并具有快速响应比较器，当电流反向流动时关闭FET。LM5050-1/-Q1可以连接5 V至75 V范围内的电源，并能承受高达100 V的瞬态电压。
商品特性
- 提供标准版和AEC-Q100认证版本 LM5050Q0MK-1（结温高达150°C）和LM5050Q1MK-1（结温高达125°C）
- 宽工作输入电压范围，VIN：1V 至 75V（当VIN < 5V时需要VBIAS）
- 100V瞬态承受能力
- 用于外部N沟道MOSFET的电荷泵栅极驱动器
- 对电流反向的快速50ns响应
- 2A峰值关断栅极电流
- 最小VDS钳位以实现更快关断
- 封装：SOT-6（薄型SOT-23-6）
应用领域
- 活动冗余(N+1)电源的OR-ing