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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MCP1402T-E/OT

500 mA小型高速功率MOSFET驱动器

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描述
高速MOSFET驱动器,可提供500 mA的峰值电流。反相或同相单通道输出由TTL或CMOS电平(3V至18V)直接控制。这些器件还具有低直通电流、匹配的上升/下降时间和传输时延特性,使得它们成为高开关频率应用的理想选择。可由4.5V至18V的单电源供电,且可轻松地在不到19 ns(典型值)的时间内对470 pF的栅极电容进行充放电。在导通和关断状态下,均可提供足够低的阻抗,以确保即使有很大的瞬态信号也不会影响MOSFET的预期状态。只要在其功率和电压范围内,任何情况下这些器件都很难闭锁。当接地端出现幅度小于等于5V(任何极性)的噪声尖峰时,这些器件也不会损坏。它们能承受大小在500mA内的反向电流灌入其输出端,而不会损坏或出现逻辑颠倒。此外,所有引脚都被充分地保护,能承受最高为3kV(HBM)和400V(MM)的静电放电(ESD)。
商品型号
MCP1402T-E/OT
商品编号
C128573
商品封装
SOT-23-5​
包装方式
编带
商品毛重
0.043克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置-
负载类型MOSFET
驱动通道数1
灌电流(IOL)500mA
拉电流(IOH)500mA
工作电压4.5V~18V
上升时间(tr)19ns
属性参数值
下降时间(tf)15ns
传播延迟 tpLH35ns
传播延迟 tpHL35ns
特性-
工作温度-40℃~+150℃@(Tj)
输入高电平(VIH)2.4V
输入低电平(VIL)800mV
静态电流(Iq)850uA

商品概述

高速MOSFET驱动器,可提供500 mA的峰值电流。反相或同相单通道输出由TTL或CMOS电平(3V至18V)直接控制。这些器件还具有低直通电流、匹配的上升/下降时间和传输时延特性,使得它们成为高开关频率应用的理想选择。 可由4.5V至18V的单电源供电,且可轻松地在不到19 ns(典型值)的时间内对470 pF的栅极电容进行充放电。在导通和关断状态下,均可提供足够低的阻抗,以确保即使有很大的瞬态信号也不会影响MOSFET的预期状态。 只要在其功率和电压范围内,任何情况下这些器件都很难闭锁。当接地端出现幅度小于等于5V(任何极性)的噪声尖峰时,这些器件也不会损坏。它们能承受大小在500mA内的反向电流灌入其输出端,而不会损坏或出现逻辑颠倒。此外,所有引脚都被充分地保护,能承受最高为3kV(HBM)和400V(MM)的静电放电(ESD)。

商品特性

  • 高峰值输出电流:500 mA (典型值)
  • 宽输入电源电压工作范围:-4.5V至18V
  • 输出级具有低的贯通/交越导通电流
  • 高容性负载驱动能力:-19 ns内驱动470 pF(典型值)-34 ns内驱动1000 pF(典型值)
  • 短延迟时间:35ns(典型值)
  • 匹配的上升/下降时间
  • 低供电电流:-逻辑1输入 -850 mA (典型值)-逻辑0输入 - 100 mA (典型值)
  • 闭锁保护:可承受500 mA的反向电流
  • 逻辑输入端可承受摆幅最高为5V的负输入
  • 节省空间的5引脚SOT-23封装

应用领域

  • 开关式电源
  • 脉冲变压器驱动
  • 线路驱动器
  • 马达和螺线管驱动

数据手册PDF