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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE0110AS

1个N沟道 耐压:100V 电流:10A

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描述
NCE0110AS采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下具有出色的导通电阻(RDS(ON)),可用于多种应用场景。
商品型号
NCE0110AS
商品编号
C126150
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.175克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on))20mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)3.1W
阈值电压(Vgs(th))1.8V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)4.2nF
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)-

商品概述

NCE3010S采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻(RDS(ON)),适用于多种应用场景。

商品特性

  • VDS = 100V,ID = 10A
  • RDS(ON) < 17 m Ω(VGS = 10 V 时)(典型值:14 m Ω)
  • RDS(ON) < 20 m Ω(VGS = 4.5 V 时)(典型值:15.2 m Ω)
  • 具备高ESD能力的特殊工艺技术
  • 用于超低RDS(ON)的高密度单元设计
  • 雪崩电压和电流特性完全表征

应用领域

  • DC/DC原边开关
  • 电信/服务器
  • 同步整流

数据手册PDF