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NCE60P50K
1个P沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- P沟道，-60V，-50A，23毫欧。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE60P50K
- 商品编号
- C130104
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.547克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 95W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.46nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 719pF |
商品概述
这款N沟道逻辑电平MOSFET专为提高采用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。 与其他具有类似漏源导通电阻（RDS(on)）规格的MOSFET相比，这些MOSFET具有更快的开关速度和更低的栅极电荷，从而使DC/DC电源设计具有更高的整体效率。
商品特性
- 栅源电压（VGS） = 4.5 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 0.024 Ω
- 40 A、30 V。栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 0.018 Ω
- 规定了高温下的关键直流电气参数。
- 坚固的内部源漏二极管可无需外部齐纳二极管瞬态抑制器。
- 高性能沟槽技术实现极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）
- 最高结温额定值为175 °C。