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NCE30P30K

1个P沟道 耐压:30V 电流:30A

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描述
P沟道,30V,30A.
商品型号
NCE30P30K
商品编号
C130106
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.092克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))18mΩ@10V;30mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)60W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)31.2nC@10V
输入电容(Ciss)1.363nF
反向传输电容(Crss)210pF
工作温度-55℃~+175℃
类型P沟道
输出电容(Coss)250pF

商品概述

NCE30P30K采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件非常适合大电流负载应用。

商品特性

  • VDS = -30V,ID = -30A
  • 在VGS = -10V时,RDS(ON) < 18 mΩ
  • 在VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 30 mΩ
  • 高密度单元设计,实现超低Rdson
  • 雪崩电压和电流特性完全表征
  • 高EAS下具有良好的稳定性和一致性
  • 出色的封装,散热性能良好

应用领域

  • 全桥转换器的高端开关-LCD显示器的DC/DC转换器

数据手册PDF