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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE2302

1个N沟道 耐压:20V 电流:4A

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描述
N沟道
商品型号
NCE2302
商品编号
C132123
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.045克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on))59mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)1W
阈值电压(Vgs(th))1.2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)10nC@4.5V
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)-

商品概述

NCE2302采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = 20V,ID = 4A
  • 在VGS = 2.5V时,RDS(ON) < 59 mΩ
  • 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 45 mΩ
  • 高功率和电流处理能力
  • 符合无铅产品要求
  • 表面贴装封装

应用领域

  • 电池保护
  • 负载开关
  • 电源管理

数据手册PDF