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NCE4614
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:8A
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- 描述
- P+N双MOS管，40V/8A加-40V/-7A，
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE4614
- 商品编号
- C136092
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
NCE4614采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关，以及其他多种应用。
商品特性
- N沟道
- VDS = 40V，ID = 8A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 19mΩ
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 29mΩ
- P沟道
- VDS = -40V，ID = -7A
- 当VGS = -10V时，RDS(ON) < 35mΩ
- 当VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 45mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装
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