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NCE55P15K
1个P沟道 耐压:55V 电流:15A
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- 描述
- P沟道，55V，15A。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE55P15K
- 商品编号
- C130102
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.547克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@30V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 145pF |
商品概述
这款P沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
商品特性
- -8.6 A，-60 V，漏源导通电阻RDS(on) = 175 mΩ（最大值），条件为栅源电压VGS = -10 V，漏极电流ID = -4.3 A
- 低栅极电荷（典型值13 nC）
- 低Crss（典型值45 pF）
- 100%雪崩测试
- 最高结温额定值175℃
应用领域
- 开关模式电源
- 音频放大器
- 直流电机控制
- 可变开关电源应用