温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NCE55P30K
1个P沟道 耐压:55V 电流:30A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- P沟道，-55V，-30A
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE55P30K
- 商品编号
- C130103
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.547克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 65W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
NCE40P70K采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件非常适合高电流负载应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -40V，漏极电流（ID） = -70A
- 栅源电压（VGS） = -10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 10 mΩ
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高雪崩能量（EAS），稳定性和一致性良好
- 采用散热性能良好的封装
- 采用特殊工艺技术，具备高静电放电（ESD）能力
应用领域
- 电源开关
- 高电流应用中的负载开关
- DC/DC转换器