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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE40P70K

1个P沟道 耐压:40V 电流:70A

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描述
P沟道,40V,70A.
商品型号
NCE40P70K
商品编号
C130101
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.547克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)70A
导通电阻(RDS(on))10mΩ@10V
耗散功率(Pd)130W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)106nC@10V
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)-

商品概述

NCE60P50K采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻(RDS(ON))。该器件非常适合大电流负载应用。

商品特性

  • VDS = -40V, ID = -70A
  • RDS(ON) < 10 m Ω @ VGS = -10 V
  • 高密度单元设计,实现超低RDS(ON)
  • 雪崩电压和电流特性全面表征
  • 高 EAS 下具有良好的稳定性和一致性
  • 采用散热性能良好的封装
  • 采用特殊工艺技术,具备高ESD能力

应用领域

  • 功率开关
  • 大电流应用中的负载开关
  • DC/DC转换器

数据手册PDF