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NCE6005AS
2个N沟道 耐压:60V 电流:5A
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- 描述
- 双N沟道，60V，5A，26毫欧，并联用可达10A，
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE6005AS
- 商品编号
- C126151
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 979pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
UML2502采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = 60V,ID = 5A
- RDS(ON)< 35 m Ω(VGS=10 V)(典型值26mΩ)
- RDS(ON) < 45 m Ω(VGS = 4.5 V)(典型值32mΩ)
- 高密度单元设计,实现超低 RDS(ON)
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高 EAS 下稳定性和一致性良好
- 采用散热性能良好的封装
- 特殊工艺技术,具备高ESD能力
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源