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FQPF11P06
1个P沟道 耐压:60V 电流:8.6A
- 描述
- P沟道 -60V 8.6A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQPF11P06
- 商品编号
- C124443
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.89克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 175mΩ@10V,4.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 250pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用安森美半导体的先进Power Trench®工艺制造，该工艺针对漏源导通电阻(rDS(on))、开关性能和坚固性进行了优化。
商品特性
- 栅源电压(VGS) = 10 V、漏极电流(ID) = 4.1 A时，最大漏源导通电阻(rDS(on)) = 67 mΩ
- 栅源电压(VGS) = 6 V、漏极电流(ID) = 3.3 A时，最大漏源导通电阻(rDS(on)) = 98 mΩ
- 高性能沟槽技术，实现极低的漏源导通电阻(rDS(on))
- 在广泛使用的表面贴装封装中具备高功率和高电流处理能力
- 经过100% UI1L测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC/DC转换器和离线式UPS
- 分布式电源架构和电压调节模块(VRM)
- 24V和48V系统的主开关
- 高压同步整流器