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FQPF11P06
1个P沟道 耐压:60V 电流:8.6A
- 描述
- P沟道 -60V 8.6A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQPF11P06
- 商品编号
- C124443
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.89克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 175mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 250pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用安森美半导体的先进Power Trench®工艺制造，该工艺针对漏源导通电阻(rDS(on))、开关性能和坚固性进行了优化。
商品特性
- -8.6 A,-60 V,RDS(on) = 175 m Ω(最大值)@ VGS = -10 V,ID = -4.3 A
- 低栅极电荷(典型值13 nC)
- 低Crss(典型值45 pF)
- 100%雪崩测试
- 最高结温额定值175°C
应用领域
- 开关模式电源
- 音频放大器
- 直流电机控制
- 可变开关电源应用