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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCEP85T25T

1个N沟道 耐压:85V 电流:250A

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商品型号
NCEP85T25T
商品编号
C918235
商品封装
TO-247-3​
包装方式
管装
商品毛重
8.025克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)85V
连续漏极电流(Id)250A
导通电阻(RDS(on))2.1mΩ@10V
耗散功率(Pd)360W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.5V
栅极电荷量(Qg)142nC@10V
输入电容(Ciss)10.7nF
反向传输电容(Crss)76pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

-沟槽功率低压MOSFET技术-出色的散热封装-高密度单元设计,实现低漏源导通电阻(RDS(ON))

商品特性

  • VDS = 85V,ID = 250A
  • RDS(ON)< 2.8 m Ω(VGS=10 V 时)
  • 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积
  • 极低的导通电阻RDS(ON)
  • 工作温度达 175 °C
  • 无铅引脚镀层
  • 100% 进行了非钳位感性开关(UIS)测试

应用领域

-直流-直流转换器-适用于高频开关和同步整流

数据手册PDF