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NCEP40PT15D
1个P沟道 耐压:40V 电流:150A
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- 描述
- NCEP40PT15D采用了超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCEP40PT15D
- 商品编号
- C918237
- 商品封装
- TO-263-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.347克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@10V,75A | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 104.4nC | |
| 输入电容(Ciss) | 8.94nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
NCE0157D采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100V，漏极电流ID = 57A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 16 mΩ（典型值：12 mΩ）
- 采用特殊工艺技术，具备高静电放电（ESD）能力
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 具有高单脉冲雪崩能量EAS，稳定性和一致性良好
- 采用出色的封装，散热性能良好
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源