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NCEP40PT15D实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCEP40PT15D

1个P沟道 耐压:40V 电流:150A

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描述
NCEP40PT15D采用了超级沟槽技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用
商品型号
NCEP40PT15D
商品编号
C918237
商品封装
TO-263-2L​
包装方式
编带
商品毛重
2.347克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)150A
导通电阻(RDS(on))2.8mΩ@10V
耗散功率(Pd)250W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.2V
栅极电荷量(Qg)104.4nC
输入电容(Ciss)8.94nF
反向传输电容(Crss)45pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

NCE0157D采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

商品特性

  • VDS = -40V,ID = -150A
  • RDS(ON) = 2.8mΩ(典型值)@ VGS = -10V
  • RDS(ON) = 3.8mΩ(典型值)@ VGS = -4.5V
  • 出色的栅极电荷×RDS(ON)乘积(品质因数)
  • 极低的导通电阻RDS(ON)
  • 工作温度175°C
  • 无铅引脚镀层
  • 100%进行了非钳位感应开关(UIS)测试

应用领域

  • 直流-直流转换器
  • 非常适合高频开关和同步整流

数据手册PDF