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NCEP023N10D实物图
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NCEP023N10D

1个N沟道 耐压:100V 电流:240A

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描述
该系列器件采用超级沟槽 II 技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻 RDS(ON) 和栅极电荷 Qg 的组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
商品型号
NCEP023N10D
商品编号
C918239
商品封装
TO-263​
包装方式
编带
商品毛重
2.081克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)240A
导通电阻(RDS(on))1.9mΩ@10V,120A
耗散功率(Pd)340W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))-
栅极电荷量(Qg)252nC@50V
输入电容(Ciss)17nF@50V
反向传输电容(Crss)77pF
工作温度-55℃~+175℃

数据手册PDF

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