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NCE60H10
1个N沟道 耐压:60V 电流:100A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于PWM、负载开关和通用应用。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE60H10
- 商品编号
- C918246
- 商品封装
- TO-220-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.74克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 170W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 290pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
-沟槽功率中压MOSFET技术-出色的散热封装-高密度单元设计,实现低漏源导通电阻
商品特性
- VDS = 60V,ID = 100A
- RDS(ON) < 5.5 m Ω(在 VGS = 10 V 时,典型值为 4.8 m Ω)
- 高密度单元设计,实现超低 RDS(ON)
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 具有高 EAS,稳定性和一致性良好
- 采用优秀封装,散热性能良好
- 采用特殊工艺技术,具备高ESD能力
应用领域
-电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源
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