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NCE60H10实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE60H10

1个N沟道 耐压:60V 电流:100A

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描述
使用先进的沟槽技术和设计,提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于PWM、负载开关和通用应用。
商品型号
NCE60H10
商品编号
C918246
商品封装
TO-220-3L​
包装方式
管装
商品毛重
2.74克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))5.5mΩ@10V,20A
耗散功率(Pd)170W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)100nC
输入电容(Ciss)4.9nF@25V
反向传输电容(Crss)290pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

-沟槽功率中压MOSFET技术-出色的散热封装-高密度单元设计,实现低漏源导通电阻

商品特性

  • 100%进行了非钳位感性负载(UIS)测试
  • 100%进行了漏源电压变化测试

应用领域

-直流-直流转换器-电源管理功能-背光源

数据手册PDF