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NCE65T2K4I
1个N沟道 耐压:650V 电流:2A
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- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE65T2K4I
- 商品编号
- C918247
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.742克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2Ω@10V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 21W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 120pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.2pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
JSM10N60F A9R是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOS场效应晶体管，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 220F，符合RoHS标准。
商品特性
- 快速开关
- 低导通电阻（Rdson ≤ 0.9Ω）
- 低栅极电荷（典型数据：32nC）
- 低反向传输电容（典型值：7.5pF）
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 适配器和充电器的功率开关电路。
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