我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单PCB/SMT工业品面板定制
NCE65T2K4I实物图
  • NCE65T2K4I商品缩略图
  • NCE65T2K4I商品缩略图
  • NCE65T2K4I商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE65T2K4I

1个N沟道 耐压:650V 电流:2A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
商品型号
NCE65T2K4I
商品编号
C918247
商品封装
TO-251​
包装方式
管装
商品毛重
0.742克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)2A
导通电阻(RDS(on))2.2Ω@10V,1A
耗散功率(Pd)21W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.5V
栅极电荷量(Qg)3.5nC@10V
输入电容(Ciss)120pF@50V
反向传输电容(Crss)0.2pF@50V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

数据手册PDF

优惠活动

购买数量

(75个/管,最小起订量 1 个)
起订量:1 个75个/管

总价金额:

0.00

近期成交0