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NCE3020Q实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE3020Q

1个N沟道 耐压:30V 电流:20A

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描述
NCE3020Q采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻(RDS(ON))。它可用于多种应用场景。
商品型号
NCE3020Q
商品编号
C918240
商品封装
DFN3.3x3.3-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.128克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))8mΩ@10V
耗散功率(Pd)20W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)17nC
输入电容(Ciss)1nF@15V
反向传输电容(Crss)164.4pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

-沟槽功率低压MOSFET技术-出色的散热封装-高密度单元设计,实现低漏源导通电阻(RDS(ON))

商品特性

  • 100%进行了单脉冲雪崩耐量(UIS)测试
  • 100%进行了漏源电压变化(ΔVDS)测试

应用领域

-大电流负载应用-负载开关-硬开关和高频电路-不间断电源

数据手册PDF