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nce0157D
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - |
商品概述
MOSFET在快速开关、低导通电阻和成本效益方面实现了最佳组合。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100V,漏极电流ID = 57A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 16 mΩ(典型值:12 mΩ)
- 采用特殊工艺技术,具备高静电放电(ESD)能力
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 具有高单脉冲雪崩能量EAS,稳定性和一致性良好
- 采用出色的封装,散热性能良好
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源
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