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NCE65T2K4K
1个N沟道 耐压:650V 电流:2A
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- 描述
- 使用先进的沟槽栅极超结技术和设计，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。该超结MOSFET符合行业对功率因数校正（PFC）、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC开关电源（SMPS）要求。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE65T2K4K
- 商品编号
- C918238
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.322克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2Ω@10V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 21W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 120pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
优惠活动
购买数量
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起订量：10 个2500个/圆盘
总价金额：
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