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NCV5106ADR2G实物图
  • NCV5106ADR2G商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCV5106ADR2G

NCV5106ADR2G

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描述
NCP5106 是一款高电压门极驱动器集成电路,提供两种输出,用于半桥配置版本 B 或任何其他高压侧 + 低压侧配置版本 A 的 2 个 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 的直接驱动。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的正确驱动。该驱动器使用 2 的独立的输入。NCP5109 = 200V,NCP5106 = 600V
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NCV5106ADR2G
商品编号
C904639
商品封装
SOIC-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.215克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型IGBT;MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)500mA
属性参数值
拉电流(IOH)250mA
工作电压10V~20V
上升时间(tr)85ns
下降时间(tf)35ns
工作温度-40℃~+125℃

商品概述

NCV5106是一款高压栅极驱动IC,提供两个输出,可直接驱动以半桥配置版本B(仅按需提供版本B)或任何其他高端+低端配置版本A排列的2个N沟道功率MOSFET或IGBT。它采用自举技术,以确保对高端功率开关进行适当驱动。该驱动器使用2个独立输入。

商品特性

  • 高电压范围:高达600 V
  • 通过AEC - Q100 1级汽车级认证
  • dV/dt抗扰度 ±50 V/nsec
  • 具备全温度范围负电流注入特性
  • 栅极驱动电源范围为10 V至20 V
  • 输出源/灌电流能力为250 mA / 500 mA
  • 与3.3 V和5 V输入逻辑兼容
  • 输入引脚可达VCC摆幅
  • 为信号传播,桥引脚负电压摆幅可扩展至 - 10 V
  • 两通道间传播延迟匹配
  • 输出与输入同相
  • 独立逻辑输入,适用于所有拓扑结构(版本A)
  • 具备100 ns内部固定死区时间的交叉导通保护(版本B - 仅按需提供)
  • 双通道欠压锁定(UVLO)
  • 这些器件为无铅器件

应用领域

  • 新能源汽车半桥和全桥转换器
  • 混合动力/电动汽车48 V转换器
  • 电动助力转向系统

数据手册PDF

优惠活动

购买数量

(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个2500个/圆盘

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