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NCV5703BDR2G

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描述: NCV5703 系列是一套高电流、高性能独立 IGBT 驱动器，带非反相输入逻辑电平，适用于中等到高功率应用，诸如 PTC加热器、电动汽车充电器和其他汽车电源等。该器件不再使用大量外部组件，提供了一个经济高效的方案。该器件的保护特性包括有源米勒箝位 (NCV5703A)、准确的 UVLO、 DESAT 保护和开漏故障输出。该驱动器还具有准确的 5.0 V 输出（所有版本）和单独的高电平和低电平（VOH 和 VOL）驱动器输出（仅限 NCV5703C），方便系统设计。该驱动器可采用较宽的单极偏置电源（以及 NCV5703B 双极偏置电源）电压范围。所有版本采用 8 引脚 SOIC 封装，经过 AEC-Q100 认证。
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NCV5703BDR2G
商品编号: C904650
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.215克(g)

商品参数

商品概述

NCV5703A、NCV5703B和NCV5703C是用于高功率应用的高电流、高性能独立IGBT驱动器，这些应用包括太阳能逆变器、电机控制和不间断电源。该器件通过省去外部输出缓冲器，提供了一种经济高效的解决方案。器件保护功能包括精确的欠压锁定（UVLO）、去饱和保护（DESAT）和有源开漏故障输出。驱动器还具有精确的5.0 V输出。驱动器设计用于适应宽电压范围的偏置电源，包括单极性电源，NCV5703B甚至支持双极性电压。根据引脚配置，器件还包括有源米勒钳位（NCV5703A）和独立的高低（ΔVOH和VOL）驱动器输出，以方便系统设计（NCV5703C）。所有三种可用的引脚配置变体均采用8引脚SOIC封装。

商品特性

在IGBT米勒平台电压下具有高电流输出（+4 / -6 A）
低输出阻抗，增强IGBT驱动能力
短传播延迟且匹配精确
可直接与数字隔离器/光耦合器/脉冲变压器连接以实现隔离驱动，与非隔离驱动逻辑兼容
具有可编程延迟的DESAT保护
严格的UVLO阈值，提供偏置灵活性
宽偏置电压范围
该器件无铅、无卤素且符合RoHS标准
有源米勒钳位，防止栅极误开启（NCV5703A）
负输出电压，增强IGBT驱动能力（NCV5703B）
VOL和VOH独立输出（NCV5703C）

应用领域

电机控制
不间断电源（UPS）
汽车电源
混合动力/电动汽车PTC加热器

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个

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	IGBT
	驱动通道数	1
	灌电流(IOL)	6A

	属性	参数值
	拉电流(IOH)	1A
	工作电压	15V~20V
	上升时间(tr)	9.2ns
	下降时间(tf)	7.9ns
	工作温度	-40℃~+125℃