NCV57200DR2G

NCV57200是一款高压栅极驱动器，具备一个非隔离式低端栅极驱动器和一个电流隔离式高端或低端栅极驱动器。它能够以半桥配置直接驱动两个IGBT。隔离式高端驱动器可采用隔离电源供电，也可通过自举技术由低端电源供电。 高端栅极驱动器的电流隔离功能，确保了在高达800 V、高dv/dt条件下工作的IGBT在高功率应用中可靠开关。经过优化的输出级可降低IGBT损耗。其特性包括带死区时间和互锁功能的两个独立输入、精确的非对称欠压锁定（UVLO）以及短且匹配的传播延迟。NCV57200的VCC/VB最高可在20 V下工作。

• 高峰值电流输出（+1.9 A / -2.3 A）
• 低输出电压降，增强IGBT导通性能
• 无VDD/VB时输出低电平状态稳定
• 浮动通道支持最高+800 ΔV的自举操作
• 共模瞬态抗扰度（CMTI）高达50 kV / μs
• VS负摆幅至 -800 V时可靠运行
• VDD和VBS电源范围最高达20 V
• 支持3.3 V、5 V和15 V逻辑输入
• 高端和低端具有非对称欠压锁定阈值
• 匹配的传播延迟为90 ns
• 内置20 ns最小脉冲宽度滤波器（或输入噪声滤波器）
• 内置340 ns死区时间以及高低端输入互锁功能
• 输出与输入信号同相
• 通过AEC - Q100认证，具备生产件批准程序（PPAP）能力
• 该器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准

• 车载充电机（OBC）
• PTC加热器
• 电子压缩机
• 汽车电源